珀莱雅,东芝:完结128层3D NAND Flash芯片开发,马图片

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2019-03-07 18:4余念邵衍6:20 作者:张金梁

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(图片来自https://news.mydrivers.com/1/618/618269.htm)

BiCS-5理论容量密度提高约33%,晶片容量为512Gb(64GB),方案2adn017020年到2021年期间商用。

功能方面,BiCS-5芯片选用单Die四矩阵技能,写速相较于两矩阵翻发作性关系珀莱雅,东芝:结束128层3D NAND Flash芯片开发,马图片番,到达132MB/s。这个速度怎样理解译客网?便是SLC缓存饱满之后的SSD的实在写速。

风趣的是,128层产品为TLC,而非QLC,原因是后者的产能还很低。

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